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IRFD310 |
4-DIP（0.300"，7.62mm） | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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IRFD310参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP 包装数量：2500 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：400V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：350mA 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.6 欧姆 @ 210mA，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：170pF @ 25V 功率 - 最大值：1W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 存储器BR24C02-RDS6TP 逻辑 - 栅极和逆MC10E107FNR2 铝电容器B43501A3227M82 PMIC - 电池BQ2005SG4 圆形MS3108A28-19P 晶体ECS-160-20-30B-DU 磁性 - 霍尔效应A1211EUA-T Card EdgeECC35DRYH 存储器M29F040B45K6E 快动，限位开关D4C-1610 |
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